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onsemi FDS3812
| Artikelnummer: | FDS3812 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDS3812 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS3812.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 3.4A, 10V Leistung - max 900mW Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer FDS38 FDS3812 Einzelheiten PDF [English] FDS3812 PDF - EN.pdf -
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